RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3091
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link