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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
49
Por volta de -26% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
10.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2574
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
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