RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2866
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link