RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
49
Por volta de -123% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3115
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link