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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de -81% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
14.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3514
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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