RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
49
Por volta de -123% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3297
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link