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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
15.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3757
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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