RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
13.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3093
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link