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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
49
Por volta de -17% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
42
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2701
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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