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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
1900
Por volta de 3.37% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
49
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
2,066.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
45
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
1900
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2387
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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