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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
49
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.7
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
41
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
7.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
1855
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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