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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
49
Por volta de -44% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2616
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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