Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 16.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,066.5 left arrow 12.1
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    34 left arrow 49
    Por volta de -44% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 6400
    Por volta de 3.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    49 left arrow 34
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,577.1 left arrow 16.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,066.5 left arrow 12.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    737 left arrow 2616
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações