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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de -81% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2173
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
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