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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
49
Por volta de -53% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
15.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3621
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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