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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
53
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
53
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
7.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2333
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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