RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Comparar
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Pontuação geral
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,001.7
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,776.5
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,001.7
14.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
669
3434
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Relatar um erro
×
Bug description
Source link