RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Comparar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
62
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
3169
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link