Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Pontuação geral
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 11.1
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    34 left arrow 62
    Por volta de -82% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.5 left arrow 1,843.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    62 left arrow 34
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,556.6 left arrow 11.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,843.6 left arrow 9.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    542 left arrow 2319
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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