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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641160 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs INTENSO 5641160 8GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
INTENSO 5641160 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
INTENSO 5641160 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
62
Por volta de -170% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
2613
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
INTENSO 5641160 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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