RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Comparar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
62
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
8.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
2489
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link