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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
62
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
1989
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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