RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
17.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
4022
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link