RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
27
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
3182
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston KHX16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link