RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.2
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
2154
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link