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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
96
Por volta de 72% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
4.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
96
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
6.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
4.2
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
992
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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