RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
15.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
2781
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link