RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
44
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
44
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
5.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
1660
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link