RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
3671
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link