RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
16.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
2969
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link