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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
83
Por volta de 67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
83
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
1774
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
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