RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB vs Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
5.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
11.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1440
3094
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link