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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
93
Por volta de 63% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
93
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
1670
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
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Kingston 9905624-045.A00G 8GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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