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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
35
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.3
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.0
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
35
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
6.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
1851
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
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