RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
39
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2852
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link