RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3188
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link