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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
29
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
18
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3180
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
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