RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3055
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link