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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3402
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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