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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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