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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2912
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
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