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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
35
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2905
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
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