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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razões a considerar
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3011
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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