RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
68
Por volta de 57% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
68
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1924
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link