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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
29
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3261
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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