RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3537
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link