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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
32
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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Kingston 9965600-018.A00G 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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