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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razões a considerar
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3323
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 0000 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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