RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
54
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
7.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
54
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
7.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link