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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
33
Por volta de 12% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3214
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Frequency (Mhz) *
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
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