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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3188
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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